HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究

	HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究
	刘国汉; 丁毅; 朱秀红; 陈光华; 贺德衍
刊名	物理学报
	2006-11-12
期号	11 页码:6147-6151
关键词	微波电子回旋共振化学气相沉积氢化微晶硅薄膜拉曼散射 X射线衍射
其他题名	HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究
中文摘要	用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明,在SiH4浓度较大时制备的薄膜,其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解,等离子体高度电离.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101449]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘国汉,丁毅,朱秀红,等. HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究[J]. 物理学报,2006(11):6147-6151.
APA	刘国汉,丁毅,朱秀红,陈光华,&贺德衍.(2006).HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究.物理学报(11),6147-6151.
MLA	刘国汉,et al."HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究".物理学报 .11(2006):6147-6151.