MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜

	MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜
	刘国汉; 丁毅; 何斌; 朱秀红; 陈光华; 贺德衍
刊名	兰州大学学报
	2006-04-28
期号	2 页码:43-46
关键词	微波电子回旋共振化学气相沉积氢化非晶硅薄膜磁场微波热丝
其他题名	MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜
中文摘要	介绍了一种新型的 MWECR-CVD 装置．该装置设计采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场,设计了一种新型的矩形耦合波导．应用这一装置使 a-Si∶H 薄膜的沉积速率达到了 2nm／s 以上．为了降低薄膜的光致衰退效应,提出了热丝辅助的 MWECR-CVD,这一改进可以大大降低薄膜的氢含量,改善薄膜的光照稳定性．
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101445]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘国汉,丁毅,何斌,等. MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜[J]. 兰州大学学报,2006(2):43-46.
APA	刘国汉,丁毅,何斌,朱秀红,陈光华,&贺德衍.(2006).MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜.兰州大学学报(2),43-46.
MLA	刘国汉,et al."MWECR-CVD法高速沉积氢化非晶硅薄膜".兰州大学学报 .2(2006):43-46.