用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料

	用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料
	刘林生; 王文新; 刘肃; 赵宏鸣; 刘宝利; 蒋中伟; 高汉超; 王佳; 黄庆安; 陈弘
刊名	半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors
	2007-09-15
卷号	28 期号:9 页码:1411-1414
关键词	分子束外延砷化镓衬底铝镓砷材料 Aluminum gallium arsenide Gallium arsenide substrate Photoluminescence spectra
ISSN号	02534177
其他题名	Growth of AlGaAs on GaAs (110) surface by molecular beam epitaxy
通讯作者	Liu, L.
中文摘要	采用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上制备了一系列生长温度和As2/Ga束流等效压强比不同的样品,通过室温光致发光谱、高分辨X射线衍射仪和低温光致发光谱对这些样品进行了分析,找到了在GaAs(110)衬底上生长高质量高Al组分的Al0.4Ga0.6As生长条件.
学科主题	712.1 Semiconducting Materials;741.1 Light/Optics;802.3 Chemical Operations;804.2 Inorganic Compounds;931.3 Atomic and Molecular Physics;933.1.1 Crystal Lattice
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101338]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘林生,王文新,刘肃,等. 用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(9):1411-1414.
APA	刘林生.,王文新.,刘肃.,赵宏鸣.,刘宝利.,...&周均铭.(2007).用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,28(9),1411-1414.
MLA	刘林生,et al."用分子束外延技术在GaAs(110)衬底上生长AlGaAs材料".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 28.9(2007):1411-1414.