静电感应晶体管(SIT)电性能的控制

	静电感应晶体管(SIT)电性能的控制
	李思渊; 刘瑞喜; 李海蓉
刊名	甘肃教育学院学报(自然科学版)
	1998-03-30
期号	1 页码:32-39
关键词	静电感应晶体管电性能控制
其他题名	静电感应晶体管(SIT)电性能的控制
中文摘要	静电感应晶体管（SIT）的I－V特性（包括类三极管、类五极管以及三一五极管的混合特性）与器件的结构密切相关．沟道长度lc、沟道宽度dc、比值lc／dc以及沟道掺杂浓度ND等均为确定SIT运用方式的重要参数．如何控制这些参数并达到最佳匹配进而实现优良的I－V特性，是个关键而且困难的问题．本文给出了上述参数控制的一般原则、方法，还给出了控制的判据，引人了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制问题进行了详细的讨论．由于混合特性低的通态电阻和高的AC功率效率，它更为适于低阻负载直接驱动电路．
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101320]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李思渊,刘瑞喜,李海蓉. 静电感应晶体管(SIT)电性能的控制[J]. 甘肃教育学院学报(自然科学版),1998(1):32-39.
APA	李思渊,刘瑞喜,&李海蓉.(1998).静电感应晶体管(SIT)电性能的控制.甘肃教育学院学报(自然科学版)(1),32-39.
MLA	李思渊,et al."静电感应晶体管(SIT)电性能的控制".甘肃教育学院学报(自然科学版) .1(1998):32-39.