磷掺杂对a-Si_H膜晶化特性的影响

	磷掺杂对a-Si_H膜晶化特性的影响
	张仿清; 张亚非; 余光明; 陈光华
刊名	无机材料学报
	1988-04-01
期号	1 页码:85-89
关键词	高电导宽带隙晶化磷掺杂
其他题名	磷掺杂对a-Si∶H膜晶化特性的影响
中文摘要	本文介绍了不同磷掺杂浓度的 a-Si∶H 膜的结构和电学、光学性质。实验结果表明:轻度的磷掺杂有促进薄膜晶化的作用,从而形成非晶相和微晶相二相混合结构。但当掺磷气体流量比大于5%时,磷掺杂对该膜晶化有抑制作用。这可能是由于在不同掺磷浓度时磷原子在 a-Si∶H 膜中的配位状态不同所致。另外,适当控制工艺条件可以制成高电导(～15Ω~(-1)cm~(-1))和宽带隙(～1.92eV)的优质 n 型 a-Si∶H 膜。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101297]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张仿清,张亚非,余光明,等. 磷掺杂对a-Si_H膜晶化特性的影响[J]. 无机材料学报,1988(1):85-89.
APA	张仿清,张亚非,余光明,&陈光华.(1988).磷掺杂对a-Si_H膜晶化特性的影响.无机材料学报(1),85-89.
MLA	张仿清,et al."磷掺杂对a-Si_H膜晶化特性的影响".无机材料学报 .1(1988):85-89.