反应溅射法制备掺硼的a-Si∶H（B）薄膜的ESR研究

	反应溅射法制备掺硼的a-Si∶H（B）薄膜的ESR研究
	陈光华; 徐进章; 张仿清
刊名	半导体学报
	1990-12-27
期号	12 页码:954-957
关键词	反应溅射电子自旋共振掺硼的非晶硅
其他题名	反应溅射法制备掺硼的a—Si:H(B)薄膜的ESR研究
中文摘要	我们应用反应溅射法制备了掺硼的a-Si:H薄膜和a-SiB:H合金薄膜。掺硼浓度(Y_g=[B_2H_6]/([Ar]十[H_2]))由10~(-6)到10~(-2)变化。研究发现,ESR信号为g_1=2.0051和g_2=2.0096两部分的叠加,前者代表Si的悬挂键Si_3~0信号,后者是由于掺B而引起的自旋信号。随着Y_g的增大,g_2由2.0090变化到2.0096,其峰一峰宽度△H_(2??)由20.5G展宽到26.0G;而g_1值和其△H_(1??)没有明显的变化。Y_g增大,两种缺陷态密度都有所增大,但g_1信号代表的B致缺陷态密度增加较快。在重掺B(Y_g≥10~(-2))的情...
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101258]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈光华,徐进章,张仿清. 反应溅射法制备掺硼的a-Si∶H（B）薄膜的ESR研究[J]. 半导体学报,1990(12):954-957.
APA	陈光华,徐进章,&张仿清.(1990).反应溅射法制备掺硼的a-Si∶H（B）薄膜的ESR研究.半导体学报(12),954-957.
MLA	陈光华,et al."反应溅射法制备掺硼的a-Si∶H（B）薄膜的ESR研究".半导体学报 .12(1990):954-957.