退火冷却速率对a-Si↓（1-x）Ge↓x:H薄膜电导的影响

	退火冷却速率对a-Si↓（1-x）Ge↓x:H薄膜电导的影响
	王印月; 姜永波; 陈光华
刊名	兰州大学学报
	1993-10-01
期号	3 页码:73-77
关键词	反应溅射电导率弛豫效应快速冷却热弛豫
其他题名	退火冷却速率对a—Si_(1-x)Ge_x:H薄膜电导的影响
中文摘要	本文比较全面地研究了退火冷却(即热淬火)对反应溅射a—si_1_rGe_x:H薄膜电导的影响,测量了热淬火态引起的热诱导电导.结果表明:电导的改变强烈地依赖于热历史:热诱导电导向平衡态的弛豫过程遵从指数衰减规律;弛豫时间是热激活式的.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101240]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,姜永波,陈光华. 退火冷却速率对a-Si↓（1-x）Ge↓x:H薄膜电导的影响[J]. 兰州大学学报,1993(3):73-77.
APA	王印月,姜永波,&陈光华.(1993).退火冷却速率对a-Si↓（1-x）Ge↓x:H薄膜电导的影响.兰州大学学报(3),73-77.
MLA	王印月,et al."退火冷却速率对a-Si↓（1-x）Ge↓x:H薄膜电导的影响".兰州大学学报 .3(1993):73-77.