一种缺陷态半导体薄膜—CdIn_2O_4膜研究

	一种缺陷态半导体薄膜—CdIn_2O_4膜研究
	王万录; 廖克俊; 彭栋梁; 高锦英
刊名	半导体技术
	1993-05-01
期号	2 页码:51-52+18
关键词	缺陷态:5647 4膜:4619 半导体薄膜:4358 氧浓度:3281 光透射率:2222 光隙:1941 导带电子:1698 光范围:1512 自由载流子:1329 简并化:1165
其他题名	一种缺陷态半导体薄膜—CdIn_2O_4膜研究
中文摘要	CdIn_2O_4薄膜是一种三元氧化物宽带隙n型半导体材料.它有许多优异的光学和电学性质.在可见光范围内它有很高的光透射率,红外光附近有良好的反射率,但同时其电阻又十分低.与金属铜、金、银相比较,CdIn_2O_4薄膜的化学性质十分稳定和耐磨损.因而广泛应用于光电子器件、热镜、太阳能电池及航天器透
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101233]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王万录,廖克俊,彭栋梁,等. 一种缺陷态半导体薄膜—CdIn_2O_4膜研究[J]. 半导体技术,1993(2):51-52+18.
APA	王万录,廖克俊,彭栋梁,&高锦英.(1993).一种缺陷态半导体薄膜—CdIn_2O_4膜研究.半导体技术(2),51-52+18.
MLA	王万录,et al."一种缺陷态半导体薄膜—CdIn_2O_4膜研究".半导体技术 .2(1993):51-52+18.