p-GaP与Au_Zn_AuSb的欧姆接触

	p-GaP与Au_Zn_AuSb的欧姆接触
	张福甲; 王德明; 李宝军
刊名	半导体光电
	1993-04-02
期号	1 页码:75-80
关键词	比接触电阻剖面分布表面形貌冶金相
其他题名	p-GaP与Au/Zn/AuSb的欧姆接触
中文摘要	用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0~(18)cm~(-3)时,测量出它的比接触电阻是4×10~(-4)Ω·cm~(-2)。它比 AuZn 合金所形成的比接触电阻降低了一个数量级,从而形成了良好的金属-半导体欧姆接触。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101231]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张福甲,王德明,李宝军. p-GaP与Au_Zn_AuSb的欧姆接触[J]. 半导体光电,1993(1):75-80.
APA	张福甲,王德明,&李宝军.(1993).p-GaP与Au_Zn_AuSb的欧姆接触.半导体光电(1),75-80.
MLA	张福甲,et al."p-GaP与Au_Zn_AuSb的欧姆接触".半导体光电 .1(1993):75-80.