快重离子辐照C60薄膜的强电子激发效应研究

	快重离子辐照C60薄膜的强电子激发效应研究
	金运范; 田惠贤; 刘杰; 谢二庆; 王志光; 张崇宏; 孙友梅; 朱智勇; 姚存峰
刊名	高能物理与核物理
	2004-07-20
期号	7 页码:781-785
关键词	强电子激发效应快重离子 C60薄膜退火效应
其他题名	快重离子辐照C_(60)薄膜的强电子激发效应研究
中文摘要	利用能量为 2 0GeV的13 6Xe和 2 7GeV的2 3 8U离子对C60 薄膜进行了辐照 ,并用傅立叶变换红外光谱、X射线衍射谱和拉曼散射技术分析了辐照过的C60 样品 ,在傅立叶变换红外光谱上 ,首次观察到一个位于 6 70cm-1处的 ,表征未知结构的新峰 ,研究了其强度随电子能损和辐照剂量的变化规律 .分析结果表明 ,电子能量转移主导了C60 薄膜的损伤过程 ;而损伤的部分恢复是由强电子激发的退火效应引起的 ;另外 ,离子的速度在损伤的建立过程中也起了一定的作用
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101122]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	金运范,田惠贤,刘杰,等. 快重离子辐照C60薄膜的强电子激发效应研究[J]. 高能物理与核物理,2004(7):781-785.
APA	金运范.,田惠贤.,刘杰.,谢二庆.,王志光.,...&姚存峰.(2004).快重离子辐照C60薄膜的强电子激发效应研究.高能物理与核物理(7),781-785.
MLA	金运范,et al."快重离子辐照C60薄膜的强电子激发效应研究".高能物理与核物理 .7(2004):781-785.