薄膜生长过程的Monte Carlo模拟

	薄膜生长过程的Monte Carlo模拟
	张佩峰; 郑小平; 贺德衍
刊名	中国科学G辑:物理学、力学、天文学
	2003-08-15
期号	4 页码:340-347
关键词	Monte Carlo方法计算机模拟薄膜生长粗糙度相对密度
其他题名	薄膜生长过程的Monte Carlo模拟
中文摘要	用Monte Carlo方法以Cu为例对薄膜生长过程进行了计算机模拟。不仅对原子的吸附、迁移及脱附三种过程采用了更为合理的模型,还考虑了这些过程发生时对近邻原子的连带效应。在合理选择原子间互作用势计算方法的基础上,改进了原子迁移激活能的计算方法。计算了表征薄膜生长表面形貌的表面粗糙度和表征薄膜内部晶格完整性的相对密度。结果表明,在一定的原子入射率下,表面粗糙度和相对密度的变化存在一个生长最佳温度。随着衬底温度的升高,表面粗糙度减小,膜的相对密度增大。当达到生长最佳温度时,粗糙度最小,而相对密度趋于饱和。粗糙度随衬底温度的进一步升高开始增大。生长最佳温度随原子入射率的增大而增大,不同温度下原子入...
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101109]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张佩峰,郑小平,贺德衍. 薄膜生长过程的Monte Carlo模拟[J]. 中国科学G辑:物理学、力学、天文学,2003(4):340-347.
APA	张佩峰,郑小平,&贺德衍.(2003).薄膜生长过程的Monte Carlo模拟.中国科学G辑:物理学、力学、天文学(4),340-347.
MLA	张佩峰,et al."薄膜生长过程的Monte Carlo模拟".中国科学G辑:物理学、力学、天文学 .4(2003):340-347.