400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管 | |
刘英坤; 王占利; 何玉樟; 郎秀兰; 张大立; 夏雷; 吴坚; 周晓黎 | |
刊名 | 半导体技术 |
2000-04-13 | |
期号 | 2页码:26-28 |
关键词 | 高频大功率 Mo栅工艺 VDMOSFET |
其他题名 | 400MHz;CW 300W VDMOS功率场效应晶体管 |
中文摘要 | 采用 Mo栅工艺技术降低栅串联电阻 ,通过优化工艺参数 ,全离子注入工艺 ,研制出了在 40 0 MHz下共源推挽结构连续波输出 30 0 W的高性能 VDMOSFET,其漏极效率大于 5 0 % ,增益大于 9d B。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101087] |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘英坤,王占利,何玉樟,等. 400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管[J]. 半导体技术,2000(2):26-28. |
APA | 刘英坤.,王占利.,何玉樟.,郎秀兰.,张大立.,...&周晓黎.(2000).400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管.半导体技术(2),26-28. |
MLA | 刘英坤,et al."400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管".半导体技术 .2(2000):26-28. |
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