埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质 | |
王印月; 杨映虎; 孙燕杰; 龚恒祥; 郭永平; 刘凤敏; 甘润今 | |
刊名 | 半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics
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1998-08-30 | |
卷号 | 19期号:4页码:211-213, 226 |
关键词 | 微晶 退火 电导 半导体 光致发光 |
ISSN号 | 10015868 |
其他题名 | Investigation on electric properties of Ge, Si and C clusters embedded in SiO2 films |
中文摘要 | 研究了埋入SiO2薄膜中的Ge,Si,C微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光(PL)的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现,当测量温度高于60℃时,埋入SiO2膜中的Ge,Si,C微结构具有半导体导电规律,尽管C/SiO2复合膜在室温至60℃之间表现出金属导电性质。对电导和PL机制进行了讨论。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101072] ![]() |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王印月,杨映虎,孙燕杰,等. 埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质[J]. 半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,1998,19(4):211-213, 226. |
APA | 王印月.,杨映虎.,孙燕杰.,龚恒祥.,郭永平.,...&甘润今.(1998).埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质.半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,19(4),211-213, 226. |
MLA | 王印月,et al."埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质".半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics 19.4(1998):211-213, 226. |
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