埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质

	埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质
	王印月; 杨映虎; 孙燕杰; 龚恒祥; 郭永平; 刘凤敏; 甘润今
刊名	半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics
	1998-08-30
卷号	19 期号:4 页码:211-213, 226
关键词	微晶退火电导半导体光致发光
ISSN号	10015868
其他题名	Investigation on electric properties of Ge, Si and C clusters embedded in SiO2 films
中文摘要	研究了埋入ＳｉＯ２薄膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微晶的电学性质与温度的关系。结合对光致发光（ＰＬ）的测量、电导激活能、电导与发光强度和峰位关系的测量发现，当测量温度高于６０℃时，埋入ＳｉＯ２膜中的Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ微结构具有半导体导电规律，尽管Ｃ／ＳｉＯ２复合膜在室温至６０℃之间表现出金属导电性质。对电导和ＰＬ机制进行了讨论。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101072]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王印月,杨映虎,孙燕杰,等. 埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质[J]. 半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,1998,19(4):211-213, 226.
APA	王印月.,杨映虎.,孙燕杰.,龚恒祥.,郭永平.,...&甘润今.(1998).埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质.半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics,19(4),211-213, 226.
MLA	王印月,et al."埋入SiO2薄膜中的Ge,Si和C团的电学性质".半导体光电/Bandaoti Guangdian/Semiconductor Optoelectronics 19.4(1998):211-213, 226.