静电感应晶体管I-V特性的控制

	静电感应晶体管I-V特性的控制
	刘瑞喜; 李思渊
刊名	半导体技术
	1998-06-14
期号	3 页码:5
关键词	静电感应晶体管 I－V特性控制
其他题名	静电感应晶体管I-V特性的控制
中文摘要	静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管、类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ、沟道厚度ｄｃ、比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则、方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101068]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘瑞喜,李思渊. 静电感应晶体管I-V特性的控制[J]. 半导体技术,1998(3):5.
APA	刘瑞喜,&李思渊.(1998).静电感应晶体管I-V特性的控制.半导体技术(3),5.
MLA	刘瑞喜,et al."静电感应晶体管I-V特性的控制".半导体技术 .3(1998):5.