一种GMOS SnO_2气体微传感器的设计

	一种GMOS SnO_2气体微传感器的设计
	刘春娟; 王永顺; 刘肃; 吴蓉; 张彩珍
刊名	半导体技术
	2009-07-03
期号	7 页码:715-718
关键词	CMOS SnO_2 气体微传感器灵敏度悬空结构抗干扰
其他题名	一种CMOS SnO_2气体微传感器的设计
中文摘要	采用TSMC0.6μm1P3M标准CMOS工艺设计了一种检测O2浓度的SnO2气体微传感器。传感器材料是由实验分析及CMOS工艺共同确定,其多晶硅加热电阻温度系数小、功耗低,而SnO2敏感薄膜灵敏度高且稳定性良好,通过软件对器件进行热学模拟仿真并确定了传感器的结构及设计参数。芯片测试结果表明:所设计的MHP悬空结构的传感器反应速度快、抗干扰能力强、具有较高的灵敏度及稳定性,检测O2含量的浓度范围为15%～70%,满足了工艺要求。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/101058]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘春娟,王永顺,刘肃,等. 一种GMOS SnO_2气体微传感器的设计[J]. 半导体技术,2009(7):715-718.
APA	刘春娟,王永顺,刘肃,吴蓉,&张彩珍.(2009).一种GMOS SnO_2气体微传感器的设计.半导体技术(7),715-718.
MLA	刘春娟,et al."一种GMOS SnO_2气体微传感器的设计".半导体技术 .7(2009):715-718.