a-Si1@1-x@C1@x@:H钝化膜热稳定性的研究

	a-Si1@1-x@C1@x@:H钝化膜热稳定性的研究
	张亚菲; 李亚红; 张仿清
刊名	兰州大学学报
	1990-12-31
期号	4 页码:38-43
关键词	半绝缘体半导体表面钝化热稳定性实验等离子体 CVD 薄膜释氢谱
其他题名	a—Si_(1-X)C_X∶H 钝化膜热稳定性的研究
中文摘要	采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si(1-x)C_x∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种样品作了热稳定性实验(即高温存放、温度循环和退火).另外,还对同一号样品做了在不同温度下退火30min 的实验.结果表明,此钝化膜的释氢温度高于600℃.具有很好的热稳定性.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/100937]
专题	物理科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	张亚菲,李亚红,张仿清. a-Si1@1-x@C1@x@:H钝化膜热稳定性的研究[J]. 兰州大学学报,1990(4):38-43.
APA	张亚菲,李亚红,&张仿清.(1990).a-Si1@1-x@C1@x@:H钝化膜热稳定性的研究.兰州大学学报(4),38-43.
MLA	张亚菲,et al."a-Si1@1-x@C1@x@:H钝化膜热稳定性的研究".兰州大学学报 .4(1990):38-43.