a-Si_(1-x)C_x:H_pn~(-in)结构的蓝白色电致发光 | |
张仿清; 张亚非; 陈光华 | |
刊名 | 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors |
1987-05-01 | |
卷号 | 8期号:4页码:433-436 |
关键词 | 电致发光:8841 蓝白色:3208 多层结构:1702 势垒二极管:1497 缺陷态:1352 发光二极管:1026 a-Si:954 发光亮度:951 光学带隙:931 发光效率:905 BLUE-WHITE ELECTROLUMINESCENCE |
ISSN号 | 02534177 |
其他题名 | BLUE-WHITE ELECTROLUMINESCENCE IN a-Si1 - xCx:H/pn - in STRUCTURE. |
通讯作者 | Zhang, Fangqing |
中文摘要 | 本文介绍了一种新的p~+μc-Si:H/pn~-in a-Si_(1-x)C_x:H/n~+μc-Si:H多层结构电注入发光器件.首次在室温下用肉眼直接观察到了蓝白色的电注入发光(EL).EL光谱的分布和峰值位置可以通过改变n~-ia-Si_(1-x)C_x:H层的碳原子含量来调整.EL总强度与正向注入电流之间遵从幂函数规律:L∝I~n;电流电压特性具有空间电荷限制电流关系:I∝V~p. 在室温下测得:n~1.5,P>2.当正向注入电流等于50mA时,器件的发光亮度接近1fL. |
学科主题 | 712 Electronic and Thermionic Materials;714 Electronic Components and Tubes;741 Light, Optics and Optical Devices |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/100935] |
专题 | 物理科学与技术学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张仿清,张亚非,陈光华. a-Si_(1-x)C_x:H_pn~(-in)结构的蓝白色电致发光[J]. 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,1987,8(4):433-436. |
APA | 张仿清,张亚非,&陈光华.(1987).a-Si_(1-x)C_x:H_pn~(-in)结构的蓝白色电致发光.半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors,8(4),433-436. |
MLA | 张仿清,et al."a-Si_(1-x)C_x:H_pn~(-in)结构的蓝白色电致发光".半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors 8.4(1987):433-436. |
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