多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能

CORC > 兰州大学 > 兰州大学 > 化学化工学院 > 期刊论文

	多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能
	焦天权; 谭干祖; 徐浚哲
刊名	兰州大学学报
	1988-12-30
期号	4 页码:80-83
关键词	双酰胺化合物:7519 电位选择系数:3646 活性物质:3085 二苯胺:2714 离子选择电极:2220 甘酞:1545 钙离子:1468 二环戊二烯:1381 HNMR谱:996 毫克分子:948
中文摘要	合成了四种二甘双酰胺化合物,并讨论了它们的电位选择系数.作者认为,二甘酰双二环戊二烯基胺可能是钙离子选择膜电极的优良活性物质.
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/99203]
专题	化学化工学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	焦天权,谭干祖,徐浚哲. 多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能[J]. 兰州大学学报,1988(4):80-83.
APA	焦天权,谭干祖,&徐浚哲.(1988).多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能.兰州大学学报(4),80-83.
MLA	焦天权,et al."多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能".兰州大学学报 .4(1988):80-83.