多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能 | |
焦天权; 谭干祖; 徐浚哲 | |
刊名 | 兰州大学学报
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1988-12-30 | |
期号 | 4页码:80-83 |
关键词 | 双酰胺化合物:7519 电位选择系数:3646 活性物质:3085 二苯胺:2714 离子选择电极:2220 甘酞:1545 钙离子:1468 二环戊二烯:1381 HNMR谱:996 毫克分子:948 |
中文摘要 | 合成了四种二甘双酰胺化合物,并讨论了它们的电位选择系数.作者认为,二甘酰双二环戊二烯基胺可能是钙离子选择膜电极的优良活性物质. |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/99203] ![]() |
专题 | 化学化工学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 焦天权,谭干祖,徐浚哲. 多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能[J]. 兰州大学学报,1988(4):80-83. |
APA | 焦天权,谭干祖,&徐浚哲.(1988).多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能.兰州大学学报(4),80-83. |
MLA | 焦天权,et al."多酰胺化合物的研究——Ⅳ 二甘双酰胺的合成及其电位选择性能".兰州大学学报 .4(1988):80-83. |
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