氢化非晶硅键合模型的从头算研究 | |
巩金龙; 李笃 | |
刊名 | 化学物理学报
![]() |
1988-06-29 | |
期号 | 3页码:209-218 |
关键词 | 氢化非晶硅:5883 悬挂键:3386 分子轨道从头算方法:3330 计算研究:3181 总能量:3068 多重散射:2447 布居数:2360 自洽场:2182 硅原子:1913 电子态:1814 |
中文摘要 | 用自洽场分子轨道从头算方法(ab initio)计算研究了氢化非晶硅α—Si:H中Si—H,Si—(H_2)—Si及Si—H—Si等键合构型,并与Johnson,Adler等人的多重散射X_α法计算作了比较。研究表明氢化可饱和α—Si:H中的悬挂键和应力键等缺陷,并使能隙中的电子态消除。分子态的氢与原子态的氢均能与两个处在应力状态的硅原子形成三中心键,而使缺陷得到补偿。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://202.201.7.4:8080/handle/262010/99139] ![]() |
专题 | 化学化工学院_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 巩金龙,李笃. 氢化非晶硅键合模型的从头算研究[J]. 化学物理学报,1988(3):209-218. |
APA | 巩金龙,&李笃.(1988).氢化非晶硅键合模型的从头算研究.化学物理学报(3),209-218. |
MLA | 巩金龙,et al."氢化非晶硅键合模型的从头算研究".化学物理学报 .3(1988):209-218. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论