氢化非晶硅键合模型的从头算研究

CORC > 兰州大学 > 兰州大学 > 化学化工学院 > 期刊论文

	氢化非晶硅键合模型的从头算研究
	巩金龙; 李笃
刊名	化学物理学报
	1988-06-29
期号	3 页码:209-218
关键词	氢化非晶硅:5883 悬挂键:3386 分子轨道从头算方法:3330 计算研究:3181 总能量:3068 多重散射:2447 布居数:2360 自洽场:2182 硅原子:1913 电子态:1814
中文摘要	用自洽场分子轨道从头算方法(ab initio)计算研究了氢化非晶硅α—Si:H中Si—H,Si—(H_2)—Si及Si—H—Si等键合构型,并与Johnson,Adler等人的多重散射X_α法计算作了比较。研究表明氢化可饱和α—Si:H中的悬挂键和应力键等缺陷,并使能隙中的电子态消除。分子态的氢与原子态的氢均能与两个处在应力状态的硅原子形成三中心键,而使缺陷得到补偿。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://202.201.7.4:8080/handle/262010/99139]
专题	化学化工学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	巩金龙,李笃. 氢化非晶硅键合模型的从头算研究[J]. 化学物理学报,1988(3):209-218.
APA	巩金龙,&李笃.(1988).氢化非晶硅键合模型的从头算研究.化学物理学报(3),209-218.
MLA	巩金龙,et al."氢化非晶硅键合模型的从头算研究".化学物理学报 .3(1988):209-218.