硅基半导体多场耦合下的光传输及电调控特性分析

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	硅基半导体多场耦合下的光传输及电调控特性分析
	周吉; 贺志宏; 于孝军; 杨东来; 董士奎
刊名	发光学报
	2016-01-15
期号	1 页码:63-73
关键词	硅基半导体载流子浓度热光效应电光效应电热调控
中文摘要	针对硅基半导体电光热多场耦合特性及电调控问题,引入泊松方程和载流子连续性方程来计算载流子输运过程的浓度分布,利用德鲁德-洛伦兹公式和K-K关系式考虑载流子浓度变化对于光折射率和吸收系数的影响,并根据电磁耗散求解热沉积项。通过对半导体基本方程、电磁波动方程和能量方程的耦合方程组进行有限元求解,模拟并分析了电光热三者耦合作用下硅基半导体介电属性及光传输行为随外加电压、载流子初始浓度、换热系数等影响因素的变化规律。研究指出了半导体P区表面反射光电场模随外加电压的降低而升高,随换热系数的增大而降低的规律。利用该机制给出了对反射光强空间分布进行电热调控的方案。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57662]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	周吉,贺志宏,于孝军,等. 硅基半导体多场耦合下的光传输及电调控特性分析[J]. 发光学报,2016(1):63-73.
APA	周吉,贺志宏,于孝军,杨东来,&董士奎.(2016).硅基半导体多场耦合下的光传输及电调控特性分析.发光学报(1),63-73.
MLA	周吉,et al."硅基半导体多场耦合下的光传输及电调控特性分析".发光学报 .1(2016):63-73.