GaN纳米线的制备及光催化性能研究 | |
李佳; 姜涛; 程宏斌; 郑学军; 王现英; 吴东旭 | |
刊名 | 电子科技
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2016-08-15 | |
期号 | 8页码:140-144 |
关键词 | GaN 纳米线 罗丹明B 紫外光 光催化 |
中文摘要 | 采用化学气相沉积法(CVD)制备了大量的Ga N纳米线,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱(EDS)和光致发光光谱仪(PL)对制备的样品形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,并对其进行降解罗丹明B水溶液的光催化性能测试。结果表明,通过化学气相沉积法制备出了高质量的Ga N纳米线,且Ga N作为催化剂有一定的光催化效果。罗丹明B水溶液会因染料自身敏化作用而降解,但实验发现达到相同降解水平时无催化剂要比有催化剂至少多10 min。Ga N作为催化剂时的降解速率k值为0.068 min~(-1),其数值相对于无催化剂时提高了17.2%。 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57598] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李佳,姜涛,程宏斌,等. GaN纳米线的制备及光催化性能研究[J]. 电子科技,2016(8):140-144. |
APA | 李佳,姜涛,程宏斌,郑学军,王现英,&吴东旭.(2016).GaN纳米线的制备及光催化性能研究.电子科技(8),140-144. |
MLA | 李佳,et al."GaN纳米线的制备及光催化性能研究".电子科技 .8(2016):140-144. |
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