| 题名 | 高次模多注速调管电动力学系统的研究 |
| 作者 | 陈新桥 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院电子学研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院电子学研究所 |
| 导师 | 丁耀根 |
| 关键词 | 高次模谐振腔 多注速调管 双间隙藕合腔 电动力学系统 |
| 学位专业 | 物理电子学 |
| 中文摘要 | 为了克服基模多注速调管在高工作频率下输出功率的限制，本文展开了高次模多注速调管电动力学系统的研究，研究工作包括高次模谐振腔和高次工作模式的选择，高次模双间隙输出腔的结构，以及高次模谐振腔与波导祸合三个方面的理论和实验研究。以矩形腔、圆柱腔和同轴腔为研究对象，以Isfield3D三维电磁场计算软件为工具，对这三种高次模谐振腔进行理论分析和计算，给出这三种腔体中适宜选择的高次工作模式，给出工作模的场分布和特性阻抗值，总结出各种高次模谐振腔以及各种高次工作模式的优缺点，加工出TM_(220)高次模矩形腔、TM_(310)o高次模圆柱腔和TM_(010)同轴腔三种谐振腔模型，进行冷测试验，实验结果与分析相符。以TM_(120)矩形腔为例，设计出一种C波段TM_(120)~(2π)模矩形双间隙腔模型，对模型进行计算机模拟，给出工作模式的电磁场分布和特性阻抗值，分析了非工作模式，提出了加吸收腔抑制TM_(110)~(2π)振荡的方法，根据设计加工出模型，对模型进行冷测实验，实验结果与计算相符。以TM_(120)~(2π)模矩形双间隙腔模型为研究对象，提出在模型的窄边开耦合口，改进的在窄边开祸合口，在宽边开祸合口，三种波导加载谐振腔的方案。分析了这三种方案中祸合口对工作模式的场分布、特性阻抗、Q_(ext)值以及场不均匀性的影响。对TM_(120)~(2π)模矩形双间隙腔进行窄边开祸合口冷测实验，结果与分析相符。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-07-19 |
| 页码 | 115 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ie.ac.cn/handle/80137/8997]  |
| 专题 | 电子学研究所_电子所博硕士学位论文_电子所博硕士学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈新桥. 高次模多注速调管电动力学系统的研究[D]. 中国科学院电子学研究所. 中国科学院电子学研究所. 2002. |
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