单面悬浮腐蚀薄膜的方法 | |
陈绍风 ; 张建刚 ; 夏善红 | |
2010-12-24 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
中文摘要 | 一种单面悬浮腐蚀薄膜的方法,包括步骤:用黑胶-沥青保护硅片带有金属引线薄膜的一面,将硅片腐蚀到剩下20μm-30μm;黑胶清洗干净后,将硅片悬浮在支架上;由支架下面的腐蚀液继续腐蚀硅片到要求的尺寸。本发明使恒温的腐蚀液在硅片下面流动通过,对硅片单面进行腐蚀,同时腐蚀液的流动起到搅拌的作用,将产生的氢气带走。本发明的特点是结构简单,易于加工,可根据不同需要制作不同规格设备等优点。可以获得清洁的薄膜表面,制备出带有NiCr/NiCr等(其他金属)热电偶和电极的大面积超薄型Si3N4(厚度50nm以上)等薄膜。 |
公开日期 | 2004-02-26 ; 2010-12-24 |
申请日期 | 2002-08-23 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN02130138.7 |
专利代理 | 戎志敏 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.ie.ac.cn/handle/80137/5265] ![]() |
专题 | 电子学研究所_传感技术国家重点实验室(北方基地)_传感技术国家重点实验室(北方基地)_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈绍风,张建刚,夏善红 . 单面悬浮腐蚀薄膜的方法. 2010-12-24. |
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