| 梁膜一体结构谐振梁压力传感器芯片及制造方法 | |
| 陈德勇 ; 崔大付 ; 王利 | |
| 2010-12-24 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院电子学研究所 |
| 中文摘要 | 一种梁膜一体结构谐振梁压力传感器芯片及制造方法，特点是在单一硅片正面制作谐振梁在背面制作压力敏感膜，谐振梁由两个半岛结构支撑，通过多孔硅牺牲层技术实现，材料选用低应力厚氮化硅。这样不仅简化微谐振式压力传感器的制作工艺，而且提高了压力灵敏度。 |
| 公开日期 | 2003-03-31 ; 2010-12-24 |
| 申请日期 | 2002-09-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN02143360.7 |
| 专利代理 | 汤保平 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ie.ac.cn/handle/80137/5261]  |
| 专题 | 电子学研究所_传感技术国家重点实验室（北方基地）_传感技术国家重点实验室（北方基地）_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈德勇,崔大付,王利 . 梁膜一体结构谐振梁压力传感器芯片及制造方法. 2010-12-24. |
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