| 题名 | BCD工艺单片光电集成接收器芯片的研制; Research and Development of Monolithic Optoelectronic Integrated Receiver by BCD Technology |
| 作者 | 芦晶 |
| 答辩日期 | 2015 ; 2010 |
| 导师 | 程翔 |
| 关键词 | OEIC PIN光电探测器 跨阻放大器 OEIC PIN photodetector Transimpedance amplifier |
| 英文摘要 | 光纤通信的飞速发展促使其关键器件—光发射及光接收芯片的技术革新。光接收芯片单片光电集成化就是技术革新中的重要趋势。与传统混合集成的光接收芯片相比，单片光电集成具有低成本、高性能的明显优点。 在标准CMOS工艺下，因为杂质掺杂浓度较大，PN结结深较浅。而硅材料在850nm的光照下吸收深度较深，这使处于衬底深处的光生载流子由于缺少电场作用必须经过较大的延迟才能到达PN结的空间电荷区边缘，限制探测器的响应带宽。商业化的BCD工艺比标准CMOS工艺多了一个N型埋层，N型外延层中杂质掺杂浓度较低，故而本论文充分利用这些特点来构建P+/N型外延层/N阱埋层（类似PIN）结构的光电探测器，可以大幅度减小光...; With the rapid development of optical communication technology, optical transmitters and receivers are renewed every second, which has attracted great attention in study of monolithic optical receiver chip. Compared with mixed integration, the monolithic integration has advantages of low cost and high performance. In standard CMOS technology, the length of PN junction is too shllow for the photo...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院机电工程系_机械电子工程; 学号：19920071151159 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=26156 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/96154]  |
| 专题 | 航空航天－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 芦晶. BCD工艺单片光电集成接收器芯片的研制, Research and Development of Monolithic Optoelectronic Integrated Receiver by BCD Technology[D]. 2015, 2010. |
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