| 题名 | 连续激光诱导Ni掺杂过饱和单晶Si材料的探索; Exploration of Supersaturated Ni-doped Monocrystalline Silicon Material Prepared by Continuous-wave Laser Irradiation |
| 作者 | 陈蓉 |
| 答辩日期 | 2016-03-22 ; 2015-11-15 |
| 导师 | 陈朝 |
| 关键词 | 连续激光诱导 中间带 Ni掺杂 过饱和单晶Si 第一性原理 Continuous-wave laser scanning Intermediate band Ni doping Supersaturated Si First-principles caculations |
| 英文摘要 | 由于过饱和掺杂的硅基杂质中间带材料在中间带太阳电池和红外探测器等领域具有良好的应用前景，近年来受到了各国科研工作者的广泛关注和研究。本文首次选用Ni作为掺杂元素，从理论和实验两方面对Ni掺杂过饱和单晶Si材料形成中间带的可行性进行了探索。理论方面，基于密度泛函理论(DFT)对Ni掺杂体Si的形成能、电子结构和光学性质进行了第一性原理计算。实验方面，采用溅射镀膜结合连续线形激光扫描的方法成功制备了Ni掺杂过饱和单晶Si材料；并对Ni掺杂过饱和单晶Si材料的结晶特性与光电特性进行了表征与分析。本文所开展的研究工作及主要研究结果如下: 1.基于第一性原理计算研究了Ni间隙和替位掺杂体Si后的结构稳...; In recent years, the supersaturated Si-based materials have been widely investigated due to its good application prospects in the fields of solar cells and infrared detectors. In this thesis, the formation feasibility of a Si-based intermediate band (IB) material through continuous-wave laser induced supersaturated Ni-doping has been explored for the first time in both theoretical and experimental...; 学位：理学博士; 院系专业：能源研究院_凝聚态物理; 学号：32420120153678 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=54134 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/131152]  |
| 专题 | 能源院－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈蓉. 连续激光诱导Ni掺杂过饱和单晶Si材料的探索, Exploration of Supersaturated Ni-doped Monocrystalline Silicon Material Prepared by Continuous-wave Laser Irradiation[D]. 2016, 2015. |
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