电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究

CORC > 厦门大学 > 1997年第3卷

	电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究; Mechanism of Electrodeposition of Cu/Co Multilayer Thin Films
	薛江云 ; 吴继勋 ; 杨德钧 ; Xue Jiangyun ; Wu Jixun ; Yang Dejun
刊名	http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9537.shtml
	1997-11-28
关键词	铜钴合金纳米多层膜电沉积交流阻抗 Coppercobalt alloy Multilayer films Electrodeposition AC impendance
英文摘要	采用动电位扫描、循环伏安以及电化学交流阻抗等方法研究了铜钴纳米多层膜的电沉积机理．结果表明：在所研究的体系中，铜的沉积是扩散控制的可逆电极过程，而钴的沉积是首先形成Ｃｏ（ＯＨ）ａｄｓ的吸附中间产物，而后在电极上进一步还原为原子态．基于研究结果，提出了铜钴沉积的机制．; The mechanism of electrodeposition of Cu/Co multilayer thin films has been studied by means of potentodynamic sweep, cyclic voltammetry sweep and AC impendance. The results indicated that the copper deposition is mass transfer controlled process and the cobalt deposition is related to the absorbed intermediate species such as Co(OH)ads. The cobalt ions first form Co(OH)ads, then was deoxygenated to cobalt on the electrode surface.; 作者联系地址：北京科技大学表面科学与腐蚀工程系; Author's Address: Department of Surface Science and Corrosion Engineering University of Science and Technology, Beijing, Beijing 100083
语种	中文
出版者	厦门大学《电化学》编辑部
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/57282]
专题	1997年第3卷
推荐引用方式 GB/T 7714	薛江云,吴继勋,杨德钧,等. 电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究, Mechanism of Electrodeposition of Cu/Co Multilayer Thin Films[J]. http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9537.shtml,1997.
APA	薛江云,吴继勋,杨德钧,Xue Jiangyun,Wu Jixun,&Yang Dejun.(1997).电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究.http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9537.shtml.
MLA	薛江云,et al."电沉积铜钴纳米多层膜的机理研究".http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9537.shtml (1997).