| 题名 | GaN薄膜的激光剥离技术及其应用研究; Study of Laser Lift-Off Technique and its Applications of GaN films |
| 作者 | 陈明 |
| 答辩日期 | 2014 ; 2014 |
| 导师 | 张保平 |
| 关键词 | GaN 激光剥离 发光二极管 自分裂激光剥离 回音壁模式 GaN laser lift off light emitting diodes auto-split laser lift off whispering gallery modes |
| 英文摘要 | GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质，已经被广泛应用于发光二极管(LED)，激光器(LD)，太阳能电池等光电器件。由于缺乏晶格匹配的衬底材料，GaN薄膜通常在蓝宝石衬底上生长。由于蓝宝石是绝缘的材料，GaN基光电器件只能采用同侧电极结构，这样会导致电流簇拥效应等问题。另外，蓝宝石差的导热率阻碍了器件的散热，影响了GaN基光电器件的光学和电学特性。利用激光剥离技术去除蓝宝石是解决这一问题的重要方法之一。在激光剥离过程中，紫外波段的脉冲激光光源透过蓝宝石衬底辐照GaN薄膜，蓝宝石/GaN界面附近的GaN吸收激光能量使界面温度迅速升高，当温度达到850℃时，GaN分解成金属Ga和氮气，从...; Due to their outstanding physical and chemical properties, GaN-based wide-band gap semiconductors are being widely used for optoelectronic devices such as light emitting diodes(LEDs), laser diodes(LDs) and solar cells. Due to the lack of the lattice-matched substrates, GaN films are commonly grown on sapphire substrates. Since sapphire is an insulator, it is necessary to have the n- and p- ohmic c...; 学位：工学博士; 院系专业：信息科学与技术学院_电路与系统; 学号：23120110154074 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=44973 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/84607]  |
| 专题 | 信息技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈明. GaN薄膜的激光剥离技术及其应用研究, Study of Laser Lift-Off Technique and its Applications of GaN films[D]. 2014, 2014. |
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