| 题名 | 高效大功率垂直结构芯片（紫外、蓝、绿光）的研究与开发; Investigation and Development of the High-Efficiency Vertical Chip |
| 作者 | 梁兴华 |
| 答辩日期 | 2016-04-01 ; 2015-06-01 |
| 导师 | 吴正云 |
| 关键词 | 大功率 薄膜垂直芯片 高效率 High power VTF High efficiency |
| 英文摘要 | GaN基LED一般生长在蓝宝石衬底上，由于蓝宝石是绝缘体和不良的导热物质，使得传统的正装芯片在大功率下工作时，容易因散热不佳导致失效。本论文利用外延转移技术把蓝宝石衬底更换成更好的导热导电衬底，制备成薄膜垂直芯片，以利于大电流，大功率下应用。 本论文所述芯片，使用ICPdamage作为电流阻挡层，使用基板键合技术将导电导热衬底和GaN结合，然后用激光剥离方式将蓝宝石衬底去除，为了增加出光效率，对GaN表面进行粗化。 我们发现PCB-ICP条件会导致垂直结构LED在老化过程发生漏电，通过更换镜面Mir的金属及EMMI&SEM分析，发现引起老化漏电的原因来源于镜面金属——Ag迁移所致，迁移通道...; As GaN-base LED is usually grown on sapphire substrate, the conventional lateral chip is normally failed to be applied in high power application for the electrical insulated and poor heat conductor. We use epi-transfer technology to transfer the sapphire to a better thermal dissipation and conductive substrate and manufacture the vertical thin-film for the high power application。 The vertical thi...; 学位：博士后; 院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学; 学号：2012170045 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=52385 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134289]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁兴华. 高效大功率垂直结构芯片（紫外、蓝、绿光）的研究与开发, Investigation and Development of the High-Efficiency Vertical Chip[D]. 2016, 2015. |
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