| 题名 | Ⅱ-Ⅵ族(ZnO, CdSe)纳米材料的合成及其在光电探测领域的应用; Synthesis of Ⅱ-Ⅵ(ZnO,CdSe) nanostructured materials and its application as photodetector |
| 作者 | 徐强 |
| 答辩日期 | 2016-03-22 ; 2015-11-16 |
| 导师 | 吴正云 |
| 关键词 | 激光辐射、ZnO纳米结构、CdSe光电导探测器 laser irradiation ZnO nanostructures CdSe photodetector |
| 英文摘要 | 本文的研究内容主要分为两个部分：一ZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用；二基于CdSe材料的光电导探测器的研制。 PartAZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用 本部分的研究工作与成果如下： 一:研究不同激光能量密度的248nm脉冲激光对ZnO材料的影响，发现随着能量密度的增加，制备的ZnO薄膜材料的结构发生变化，当能量密度达到2.5J/cm2时，ZnO薄膜变成纳米片结构材料，其原因可能是来自高能量密度激光产生的非线性效应。 二：分析研究了金属Zn薄膜在不同的条件下氧化得到ZnO材料的特性，提出金属Zn氧化法制备ZnO生长模型。通过控制氧化的时间、温度以及采用金作为...; This thesis is divided into two parts: synthesize of ZnO material and its application in optoelectronics; photoconductor based on CdSe material. Part A synthesize of ZnO material and its application in optoelectronics In this thesis, we mainly focus on study the growth mechanism of ZnO, and its applications in optoelectronics.The main points for this partare as follows: 1. To investigate the la...; 学位：工学博士; 院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820110154057 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=53419 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/134231]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐强. Ⅱ-Ⅵ族(ZnO, CdSe)纳米材料的合成及其在光电探测领域的应用, Synthesis of Ⅱ-Ⅵ(ZnO,CdSe) nanostructured materials and its application as photodetector[D]. 2016, 2015. |
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