| 题名 | 绿光InGaN有源层材料生长与发光研究; Growth and Luminescence Studies of Green-emitting InGaN Active Layers |
| 作者 | 王国彪 |
| 答辩日期 | 2012 ; 2012 |
| 导师 | 方志来 |
| 关键词 | InGaN有源层 绿光 金属有机物气相外延 极化效应 发光。 InGaN active layer Green emission Metal organic vapor phase epitaxy Polarization effect Luminescence |
| 英文摘要 | 由于InN和GaN间存在大的晶格失配，InGaN材料生长易形成高密度缺陷，非辐射复合几率增加，导致发光效率大幅下降。此外高铟组分的InGaN/GaN量子阱由晶格失配引起的应变会产生强的压电极化场，引起能带弯曲，使电子和空穴波函数空间交叠减少，辐射复合几率大幅下降。 本文通过应变诱导形成类似量子点的纳米岛状结构，有效抑制了高铟（26.8%）InGaN有源层的失配位错和坑的形成。由于类量子点的纳米岛状结构引起的应力再分布及其上的GaN岛引起的InGaN有源层应变调制，导致在位错周围形成了较高的表面势垒，从而使载流子横向上产生局域化效应，远离缺陷处的非辐射复合中心。室温阴极荧光检测显示503nm处...; Due to the large lattice mismatch between InN and GaN the InGaN alloy phenomena and formation of surface pits and In-rich inclusions would become severe with an increase of indium content, resulting in poor crystalline quality and increase of nonradiative recombination rate for the InGaN based long-wavelength light emitting diodes. In addition, a strong built-in piezoelectric field induced by the ...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：19820091152533 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=35035 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54983]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王国彪. 绿光InGaN有源层材料生长与发光研究, Growth and Luminescence Studies of Green-emitting InGaN Active Layers[D]. 2012, 2012. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论