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题名	Au/4H-SiC半透明肖特基UV光电二极管的研制; The Fabrication of Au/4H-SiC Semitransparent Schottky UV Photodiode
作者	王良均
答辩日期	2006 ; 2006
导师	吴正云
关键词	4H-SiC 半透明肖特基接触 光电二极管 4H-SiC Semitransparent Schottky contact Photodiode
英文摘要	碳化硅（SiC）由于其较宽的带隙,较大的击穿电场,较高的电子饱和漂移速率和较大热传导率，在制作高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有巨大优势，被认为是最有前景的宽带隙半导体材料之一。基于4H-SiC材料制备的紫外光电探测器，因其禁带宽度大(3.26eV),对可见及红外线辐射无响应，因而可以在很强的可见及红外线背景下检测紫外光。近年，有一些关于金属/4H-SiC的报道，但对Au/4H-SiC肖特基光电二极管的报道并不多，而对于半透明肖特基接触的报道就更少。目前在有关的报道中用作肖特基接触的金属厚度相对较大，紫外透过率很小，造成大量的反射和吸收损失，影响器件的量子效率及响应度等性能。因此，半透明肖...; Silicon carbide is a promising wide bandgap semiconductor material for high-temperature, high-power, high-frequency and anti-radiation device applications because of its wide bandgap,high critical electric field, large saturation electron drift velocity and superior thermal conductivity . Due to wide bandgap ( 3.26eV),ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC can be use...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：200324016
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=11635
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54998]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	王良均. Au/4H-SiC半透明肖特基UV光电二极管的研制, The Fabrication of Au/4H-SiC Semitransparent Schottky UV Photodiode[D]. 2006, 2006.

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