题名 | Au/4H-SiC半透明肖特基UV光电二极管的研制; The Fabrication of Au/4H-SiC Semitransparent Schottky UV Photodiode |
作者 | 王良均 |
答辩日期 | 2006 ; 2006 |
导师 | 吴正云 |
关键词 | 4H-SiC 半透明肖特基接触 光电二极管 4H-SiC Semitransparent Schottky contact Photodiode |
英文摘要 | 碳化硅(SiC)由于其较宽的带隙,较大的击穿电场,较高的电子饱和漂移速率和较大热传导率,在制作高温、高频、大功率和抗辐射器件方面具有巨大优势,被认为是最有前景的宽带隙半导体材料之一。基于4H-SiC材料制备的紫外光电探测器,因其禁带宽度大(3.26eV),对可见及红外线辐射无响应,因而可以在很强的可见及红外线背景下检测紫外光。近年,有一些关于金属/4H-SiC的报道,但对Au/4H-SiC肖特基光电二极管的报道并不多,而对于半透明肖特基接触的报道就更少。目前在有关的报道中用作肖特基接触的金属厚度相对较大,紫外透过率很小,造成大量的反射和吸收损失,影响器件的量子效率及响应度等性能。因此,半透明肖...; Silicon carbide is a promising wide bandgap semiconductor material for high-temperature, high-power, high-frequency and anti-radiation device applications because of its wide bandgap,high critical electric field, large saturation electron drift velocity and superior thermal conductivity . Due to wide bandgap ( 3.26eV),ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC can be use...; 学位:理学硕士; 院系专业:物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号:200324016 |
语种 | zh_CN |
出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=11635 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54998] ![]() |
专题 | 物理技术-学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王良均. Au/4H-SiC半透明肖特基UV光电二极管的研制, The Fabrication of Au/4H-SiC Semitransparent Schottky UV Photodiode[D]. 2006, 2006. |
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