| 题名 | Li离子嵌入和氧缺陷对V2O5电子结构的影响; Influence of Li intercalation and oxygen defects on electronic structure of V2O5 |
| 作者 | 李志阳 |
| 答辩日期 | 2008 ; 2008 |
| 导师 | 吴启辉 |
| 关键词 | LixV2O5 V2O5-x 电子结构 LixV2O5 V2O5-x electronic structures |
| 英文摘要 | V2O5是一种极其重要的无机材料，在化工和电子工业领域有着广泛的应用。尤其是在电存储和电致变色器件中的应用深受研究者的关注。目前，影响其未来发展的难题主要有：Li嵌入对V2O5电子结构的影响及其嵌入/脱出的机理缺少理论依据，此外，本征氧空位缺陷对材料特性的影响机制也尚不明确。本论文通过理论计算和实验研究，较深入地考察了V2O5体材料的电子结构及其分别受Li离子嵌入和氧空位的影响。理论上，我们分析了Li离子的嵌入机理以及氧空位对体材料的电子结构所产生的影响。实验上，我们分别利用物理汽相沉积和射频磁控溅射技术制备了V2O5薄膜，采用包括电子显微镜、X射线光电子能谱（XPS）、紫外光电子能谱（UPS...; Because it is a promising material in many technological applications, vanadium pentoxide (V2O5) has been the subject of intense study. Especially, the applications of V2O5 in electrochemical charge storage and electrochromic devices have been paid the most attention. However, several critical factors have restricted the development of its applications: 1) the mechanism which changes the electron ...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：20051301659 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=17819 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54856]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李志阳. Li离子嵌入和氧缺陷对V2O5电子结构的影响, Influence of Li intercalation and oxygen defects on electronic structure of V2O5[D]. 2008, 2008. |
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