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题名	InGaN太阳能电池制备及其光伏特性研究; Fabrication and Photovoltaic Properties of InGaN Solar Cells
作者	曾绳卫
答辩日期	2011 ; 2010
导师	张保平
关键词	InGaN 太阳能电池 同质结 InGaN solar cells homojunction
英文摘要	III族氮化物（InN、GaN、AlN及其合金）由于其良好的光、电学特性已被广泛应用于制作短波长光电器件。近几年来，由于InGaN材料表现出来的优越的光伏特性，如禁带宽度大小可调（对应的光波长几乎覆盖整个太阳光谱）、电子迁移率高、吸收系数大、抗辐射能力强等，吸引人们探索其在高效率太阳能电池方面的应用。在本论文中，我们制作具有不同p-接触方案的InGaN同质结太阳能电池，并研究电池在不同In组分、照射光强度、环境温度下的光电响应特性。具体的研究内容如下： 1、制作具有Ni/Au半透明电流扩展层（SCSL）和叉指状（G）两种p型欧姆接触方案的In0.02Ga0.98Np-i-n同质结电池，并对比...; III-nitride materials, represented by InN, GaN, AlN and their alloys, have been used to fabricate short-wavelength optoelectronic devices due to their favorable optical and electrical properties. Recently, the application has been extended to high-efficency solar cells due to their superior photovoltaic properties such as tunable energy band gaps of InGaN (which cover almost the whole solar spectr...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：19820071152324
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=26164
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54833]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	曾绳卫. InGaN太阳能电池制备及其光伏特性研究, Fabrication and Photovoltaic Properties of InGaN Solar Cells[D]. 2011, 2010.

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