题名 | InGaN太阳能电池制备及其光伏特性研究; Fabrication and Photovoltaic Properties of InGaN Solar Cells |
作者 | 曾绳卫 |
答辩日期 | 2011 ; 2010 |
导师 | 张保平 |
关键词 | InGaN 太阳能电池 同质结 InGaN solar cells homojunction |
英文摘要 | III族氮化物(InN、GaN、AlN及其合金)由于其良好的光、电学特性已被广泛应用于制作短波长光电器件。近几年来,由于InGaN材料表现出来的优越的光伏特性,如禁带宽度大小可调(对应的光波长几乎覆盖整个太阳光谱)、电子迁移率高、吸收系数大、抗辐射能力强等,吸引人们探索其在高效率太阳能电池方面的应用。在本论文中,我们制作具有不同p-接触方案的InGaN同质结太阳能电池,并研究电池在不同In组分、照射光强度、环境温度下的光电响应特性。具体的研究内容如下: 1、制作具有Ni/Au半透明电流扩展层(SCSL)和叉指状(G)两种p型欧姆接触方案的In0.02Ga0.98Np-i-n同质结电池,并对比...; III-nitride materials, represented by InN, GaN, AlN and their alloys, have been used to fabricate short-wavelength optoelectronic devices due to their favorable optical and electrical properties. Recently, the application has been extended to high-efficency solar cells due to their superior photovoltaic properties such as tunable energy band gaps of InGaN (which cover almost the whole solar spectr...; 学位:理学硕士; 院系专业:物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号:19820071152324 |
语种 | zh_CN |
出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=26164 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54833] ![]() |
专题 | 物理技术-学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾绳卫. InGaN太阳能电池制备及其光伏特性研究, Fabrication and Photovoltaic Properties of InGaN Solar Cells[D]. 2011, 2010. |
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