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题名	GaN LED 器件外延膜的激光剥离的研究; Research on laser lift-off of GaN LED thin films
作者	黄瑾
答辩日期	2009 ; 2009
导师	刘宝林
关键词	GaN 激光剥离 蓝宝石衬底抛光 衬底加热 GaN laser lift-off polishing technique of sapphire substrate
英文摘要	GaN及其化合物是直接带隙半导体材料，它的禁带宽度从1.9eV～6.2eV连续可调，发光范围覆盖了从红色到紫外的光谱，GaN材料是一种理想的短波长发光材料。它主要用于制作蓝、紫、紫外发光二极管（LED），激光器（LD）、紫外（UV）光电探测器等光电子器件。GaN和Si之间的晶片键合和激光剥离工艺可以很方便的实现不同材料的集成，为GaN基材料的外延生长、器件的工艺制作提供一个新的研究方向。 本文利用键合和激光剥离技术，实现了Φ2英寸GaNLED器件外延薄膜的激光剥离，并且实现蓝宝石衬底的重新利用。通过理论计算优化激光剥离的参数，利用衬底加热的方式实现降低阈值密度快速的激光剥离。目前国内外还没有...; GaN is a very favorable materials system for short-wavelength optical device. The band gap of GaN-based material can be tuned between 1.9 eV and 6.2 eV, ranging from red to ultraviolet (UV). The GaN-based systems have promising applications in the optoelectronic industry , in particular blue/UV light LEDs、laser diodes(LD)、UV detectors. A combination of wafer bonding and thin-film lift-off offers t...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院机电工程系_凝聚态物理; 学号：19820061151784
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=22207
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54635]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	黄瑾. GaN LED 器件外延膜的激光剥离的研究, Research on laser lift-off of GaN LED thin films[D]. 2009, 2009.

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