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题名	p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管单管及一维阵列的研制; Research and Fabrication of 4H-SiC Ultraviolet p-i-n Photodiodes and Linear Array
作者	陈厦平
答辩日期	2007 ; 2007
导师	吴正云
关键词	4H-SiC p-i-n紫外光电二极管 δ掺杂 一维阵列 4H-SiC p-i-n Ultraviolet (UV) Photodiode δ-doping Linear Array
英文摘要	碳化硅（SiC）材料作为高温、高频以及大功率电子器件制备的理想半导体材料，近年来越来越受到世界各国的广泛关注。由于4H-SiC材料的宽带隙（~3.26eV），用其制备的紫外光电探测器将具有可见盲/日盲特性，并且在高温条件下4H-SiC光电探测器的暗电流也比传统硅基探测器要低几个数量级。因此，4H-SiC材料被认为是制备紫外光电探测器的首选材料，所制备的紫外光电探测器可在极端条件下应用于生化检测、可燃性气体尾焰探测、臭氧层监测、短波通讯以及导弹羽烟的紫外辐射探测等领域。对于p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管，由于其较小的结电容和较大的并联电阻，使得器件在低电压工作时具有较低的噪声、较快的响...; As a promising semiconductor material for high temperature, high frequency, and high power devices, silicon carbide (SiC) has received more remarkable attentions now. Due to the wide bandgap of 4H-SiC (~ 3.26 eV), photodetectors utilising this material should have the advantage of a good visible-blind/solar-blind performance and a very low dark current which can be many orders of magnitude lower t...; 学位：理学博士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：B200424023
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=17101
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/55115]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	陈厦平. p-i-n结构4H-SiC紫外光电二极管单管及一维阵列的研制, Research and Fabrication of 4H-SiC Ultraviolet p-i-n Photodiodes and Linear Array[D]. 2007, 2007.

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