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题名	GaN基垂直结构LED关键工艺研究; Research of key technologies for vertical structure GaN-based LED
作者	江方
答辩日期	2011 ; 2011
导师	张保平
关键词	垂直结构GaN基LED 高反射率电极 区域剥离 vertical structure LED high reflective contact patterned laser lift-off
英文摘要	GaN基发光二极管（LED）是发展固态照明、实现人类照明革命的关键性光源，具有广阔的应用前景。由于其衬底蓝宝石为绝缘体，以及结构上的原因，不可避免地存在电流的横向扩展，从而极易产生电流拥挤效应，导致器件散热不良、出光率低等问题。垂直结构的GaN基LED和传统结构LED相比，具有电流分布均匀、电流产生的热量小、电压降低、效率高等诸多优点。所以该结构被提出后，迅速受到研究人员的关注，并取得了一系列进展。但是和传统结构LED相比，垂直结构LED工艺难度比较大，存在许多挑战，特别是制作高反射率电极、台面刻蚀以及漏电流抑制。在本论文中，我们制作出了垂直结构LED的高反射率电极，同时研究了工艺中的关键技术...; GaN-based light-emitting diode (LED) is a key light source for solid-state lighting, and it has been applied in many fields. When sapphire is used as the substrate, a number of issues are still present including the current crowding effect, the poor heat dissipation and low illumiance, etc. Compared with the traditional GaN-based LED, vertical structure LED exhibits several advantages including cu...; 学位：理学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：19820081152990
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=30083
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54948]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	江方. GaN基垂直结构LED关键工艺研究, Research of key technologies for vertical structure GaN-based LED[D]. 2011, 2011.

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