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题名	Si基纳米结构的第一性原理计算及其制备、结构与光学性质; First-principles Calculations and Fabrication of Si-based Nanostructures and their Structural and Optical Properties
作者	周笔
答辩日期	2009 ; 2009
导师	朱贤方 ; 陈松岩
关键词	硅锗 Si基发光 纳米结构 第一性原理计算 超高真空化学气相沉积 电化学阳极腐蚀 SiGe Si-based Luminescence Nanostructure First-principles calculations UHVCVD Electrochemical Anodization
英文摘要	众所周知，以Si作为基质材料的微电子技术是当今信息化时代的关键支柱，已经达到相当成熟的规模产业化水平，在信息高科技领域中做出了巨大的贡献。然而，由于体Si为间接带隙材料的内在秉性制约了信息化社会发展的光电子集成发展需求，实现Si基高效发光是硅基光子学亟待突破的关键课题。目前，Si基纳米结构表现出良好的光学性质，成为实现Si基高效发光最有潜力的材料之一。但是，Si基纳米结构的分布随机性、尺寸分布不均匀、密度难提高及其发光机制仍不统一等制约了发光效率进一步提高。本文通过UHVCVD外延薄膜技术和电化学阳极腐蚀相结合的方法制备了Si、SiGe纳米结构，结合第一性原理计算方法，系统地研究了Si、SiG...; It is well known that Si microelectronics is the key pillar of information age at present. As the main material for microelectronics, Si possesses quite mature fabrication technology which has contributed greatly to the high-tech information industry. However, a major obstacle imposed on Si is its indirect interband transition (i.e. the indirect bandgap) property,which has limited the development ...; 学位：理学博士; 院系专业：物理与机电工程学院物理学系_凝聚态物理; 学号：19820060153178
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=24820
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54730]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	周笔. Si基纳米结构的第一性原理计算及其制备、结构与光学性质, First-principles Calculations and Fabrication of Si-based Nanostructures and their Structural and Optical Properties[D]. 2009, 2009.

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