| 题名 | 磁控溅射制备ZnO及其掺Al薄膜与MSM紫外光电探测器的研制; Deposition of ZnO and Al doped ZnO films by magnetron sputtering and fabrication of MSM ultraviolet photodetector |
| 作者 | 吴跃波 |
| 答辩日期 | 2008 ; 2008 |
| 导师 | 吴孙桃 |
| 关键词 | ZnO薄膜 AZO薄膜 磁控溅射 MSM光电探测器 ZnO Film AZO Film Magnetron Sputtering MSM Photodetector |
| 英文摘要 | 随着紫外探测技术越来越广泛地被应用于众多领域，大大推动了宽禁带半导体的发展。ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，在光电器件领域有着光明的应用前景，近年来已成为国际上半导体光电材料的研究热点。目前，高质量的ZnO薄膜一般是利用MOCVD或MBE在蓝宝石衬底上制备。生产成本高，限制了ZnO材料的潜在应用。而磁控溅射技术是一种简便应用广泛且技术成熟的薄膜制备技术，生产成本低廉，与集成电路平面工艺兼容性好，通过调节磁控溅射的工艺参数制备出高质量的ZnO薄膜是很有意义的工作。同时ZnO具有良好的抗高能射线辐射能力，相比其它宽禁带半导体在制作紫外探测器方面具有独特的优势。本论文主要工作是研究如何利用简便...; Wide band semiconductors has been greatly developed with ultraviolet photodetectors applied more and more widely in many aeras. ZnO, as a direct and wide band gap semiconductor, has promising applications on optoelectronic devices. In recent years ZnO has been a hotspot in the area of semiconductor optoelectronic material. At present, high quality ZnO film is grown on sappire by MOCVD or MBE, whic...; 学位：工学博士; 院系专业：物理与机电工程学院机电工程系_测试计量技术及仪器; 学号：18220051403039 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=20900 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/54253]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴跃波. 磁控溅射制备ZnO及其掺Al薄膜与MSM紫外光电探测器的研制, Deposition of ZnO and Al doped ZnO films by magnetron sputtering and fabrication of MSM ultraviolet photodetector[D]. 2008, 2008. |
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