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题名	p-GaN退火对GaN基LED外延材料及器件性能的影响; Influence of p-GaN annealing on the properties of GaN-based LED wafers and devices
作者	孙丽
答辩日期	2013 ; 2013
导师	张保平
关键词	p-GaN 热退火 LED p-GaN thermal annealing LED
英文摘要	GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质，已被广泛用于全彩显示、信息指示和照明领域，成为当今半导体技术发展的热点。目前，GaN及GaN基器件的研究已经取得了巨大的进展，但是GaN的生长和器件制备方面还存在一些困难。p型掺杂困难是限制GaN基材料和器件发展的主要因素之一。热退火是用于提高p型GaN空穴浓度的常用方法，但具体的实验条件还有待进一步优化。本文针对GaN基材料的p型掺杂问题，将GaN基LED样品分别在800℃，N2氛围下退火20min和500℃，O2氛围下退火6min，并对N2退火和O2退火的发光二极管（LED）样品进行光学性能和电学性能的系统研究与分析，基于这些研究本文的主要...; GaN-based wide-band gap semiconductors are being widely used in color display, signal indication and solid-state lighting due to their outstanding physical and chemical properties. It is now a hot topic in semiconductor research. Although great progresses have been made in the studies of GaN-based devices, several obstacles still act as the critical handicaps restricting the further development an...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820101152842
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=40526
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/78997]
专题	物理技术－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	孙丽. p-GaN退火对GaN基LED外延材料及器件性能的影响, Influence of p-GaN annealing on the properties of GaN-based LED wafers and devices[D]. 2013, 2013.

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