| 题名 | 金属氮化物与锗接触特性研究; Study of Contact Properties of Metal Nitrides on n-Ge |
| 作者 | 吴焕达 |
| 答辩日期 | 2014 ; 2014 |
| 导师 | 李成 ; 黄巍 |
| 关键词 | 锗 费米能级钉扎效应 肖特基势垒高度 氮化钛 氮化钨 Ge Fermi-level pinning effect Schottky barrier height Titanium nitride Tungsten nitride |
| 英文摘要 | 锗（Ge）材料因其较高的载流子迁移率以及与硅工艺兼容的性质成为下一代高性能集成电路半导体MOSFE器件沟道的首选替代材料。然而金属/Ge接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应，形成较高的接触势垒和较大的接触电阻，影响了器件性能提升。因此，研究Ge费米能级钉扎效应本质，调制金属/n-Ge的接触势垒高度，以及寻找获得欧姆接触的途径具有重要的研究意义和应用价值。 本论文利用反应磁控溅射的方法得到不同组分的WNx/n-Ge与TiNx/n-Ge接触材料，研究了金属氮化物与n-Ge接触势垒高度调制方法与机理，取得的主要成果如下： 1．通过反应溅射方法制备TiNx薄膜电极，当溅射时氮气流量为1sccm时，可...; Germanium (Ge) is renewed as one of the promising candidate channel materials for next generation high performance integrated circuits due to its high carrier mobility. And Furthermore, since Ge is a group IV element like Si, it is completely compatible with current manufacturing facilities as it does not act as a dopant impurity. However, the Fermi- level pinning effect (FLP) at metal/Ge interfac...; 学位：工学硕士; 院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820111152866 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=44326 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/84042]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴焕达. 金属氮化物与锗接触特性研究, Study of Contact Properties of Metal Nitrides on n-Ge[D]. 2014, 2014. |
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