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题名	N型砷化镓的光电化学行为研究
作者	杨书农
答辩日期	1986 ; 1986
导师	田邵武 ; 陈体衔
英文摘要	本文试图从理论和实验上对N型砷化镓的半导体光电化学性质作一些有益的探讨。首先是通过理论模型的解析解与实验结果（经合理校正后）进行比较以检验模型的正确性，以此研究影响电极光电化学的决定性因素；其次是利用电化学方法及分析手段如光电流谱。光阻抗谱、极谱、XPS能谱、原于吸收光谱等对刀型砷化镓的光腐蚀行为及表面修饰作用作了研究，实验结果表明：半导体电极经在一些金属离子溶液中浸泡处理及用聚吡咯修饰后，将改变其表面反应的动力学行为，且发现电极经Ru3+中浸泡后光腐蚀量减少了。; The photoelectrochemical properties of N-type GaAs have been investigated in theoretical and experimental aspects. Firstly, the theoretical model is evaluated by comparing the analytical solution of theoretical model with experimental results under the reasonable correction. Secondly, with some electrochemical and analytical methods such as photocurrent spectroscopy, photo-impedence spectroscopy, ...; 学位：理学硕士; 院系专业：化学化工学院化学系_物理化学(含化学物理); 学号：YL0000243
语种	zh_CN
出处	http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=6682
内容类型	学位论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/34788]
专题	化学化工－学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨书农. N型砷化镓的光电化学行为研究[D]. 1986, 1986.

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