| 题名 | 约束刻蚀剂层技术用于GaAs表面的三维微加工和Cu表面平坦化的研究; The Study of Applying CELT to Three Dimensional Micromachining of GaAs and the Planarization of Cu Innerconnections |
| 作者 | 王文华 |
| 答辩日期 | 2011 ; 2010 |
| 导师 | 汤儆 |
| 关键词 | 约束刻蚀剂层技术 GaAs Cu互联结构 表面平坦化 Confined Etchant Layer Techique GaAs Cu Innerconnection Surface planarization |
| 英文摘要 | 微机电系统、微光学系统、微芯片系统等领域的发展促进了微/纳米加工技术的发展与完善。微/纳米加工技术是当今微系统制造领域研究的热点和核心，是人类探索微纳米世界的必不可少的工具。1992年厦门大学田昭武院士提出的约束刻蚀剂层技术（ConfinedEtchantLayerTechinique，简称CELT）是一种具有距离敏感性的化学刻蚀技术，不仅能批量加工出复杂的三维微结构，而且工艺简单，适用的材料非常广泛。CELT在实验和理论方面发展了十余年，成功应用于对金属、半导体和绝缘体等材料的微加工。本论文完善和发展了半导体材料GaAs的CELT加工技术，并将CELT初步应用于超大规模集成电路Cu互连线结构...; With the development of the microelectromechanical systems (MEMS), micro-optics and microchips, microfabrication technology has been developed and improved. Now, the micro-fabrication technology has become the hotspot of the research and the score of the MEMS, which is an indispensable tool to explore the micro-nano world. The Confined Etchant Layer Technology (CELT) is a potential method to fabri...; 学位：工学硕士; 院系专业：化学化工学院化学系_应用化学; 学号：20520071150990 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=25757 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/35036]  |
| 专题 | 化学化工－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王文华. 约束刻蚀剂层技术用于GaAs表面的三维微加工和Cu表面平坦化的研究, The Study of Applying CELT to Three Dimensional Micromachining of GaAs and the Planarization of Cu Innerconnections[D]. 2011, 2010. |
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