| 题名 | 离子液体中锗在单晶电极表面的电沉积研究及量子电导测量; Electrodeposition and Quantum Conductance Measurement of Germanium on Single Crystal Surfaces in Ionic Liquids |
| 作者 | 谢旭芬 |
| 答辩日期 | 2014 ; 2013 |
| 导师 | 颜佳伟 ; 毛秉伟 |
| 关键词 | Ge 量子电导 电化学STM 离子液体 Ge quantum conductance ECSTM ionic liquids |
| 英文摘要 | 块体的Ge是间接带隙半导体，其光学带隙宽度较小、发光效率低，且发光峰位于近红外，从而限制了Ge材料在光学器件上的应用。而纳米尺寸的Ge是直接带隙半导体，在光学和电学方面表现出特别的物理化学性质。与Si相比，Ge具有0.67eV的窄带隙、电子和空穴的有效质量小、载流子迁移率高，故Ge更适合用于发光器件、存储器件和光电探测器件。因此，Ge纳米结构的制备和性质研究受到了人们的广泛关注。目前，文献工作中已制备了Ge的多种纳米结构，并对其形貌、结构、光学和电学特性进行研究。然而，要将Ge的纳米结构应用到纳米电子学和纳米光电子学器件中还需了解其量子输运性质。同时，Ge原子线的构建及其量子输运性质研究也是纳...; Bulk Ge is an indirect gap semiconductor, which has the properties of small optical band gap, low luminous efficiency, luminescence peak located at near-infrared. These properties limit the applications of bulk Ge materials in optical devices. Ge nanocrystallites are direct gap semiconductors, which have unique optical and electrical properties. The advantages of higher mobility of carriers and sm...; 学位：理学硕士; 院系专业：化学化工学院_物理化学(含化学物理); 学号：20520101151620 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=39950 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/76937]  |
| 专题 | 化学化工－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢旭芬. 离子液体中锗在单晶电极表面的电沉积研究及量子电导测量, Electrodeposition and Quantum Conductance Measurement of Germanium on Single Crystal Surfaces in Ionic Liquids[D]. 2014, 2013. |
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