题名 | ZnO:Ce薄膜的制备与性能研究; Investigation on preparation and properties of the ZnO:Ce thin films |
作者 | 罗晴 |
答辩日期 | 2012 ; 2012 |
导师 | 彭栋梁 |
关键词 | 直流磁控溅射 ZnO:Ce薄膜 光致发光 DC magnetron sputtering ZnO:Ce thin films Photoluminescenc |
英文摘要 | ZnO是一种具有广阔发展潜力的光电材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV,容易生长且成本低。Ce是一种重要的稀土元素,掺入到特定的基质材料中会产生优异的光学性能。ZnO:Ce纳米材料作为一种极具发展潜力的光致发光材料引起了人们很大的研究兴趣。然而,大多数研究集中于ZnO:Ce一维纳米材料的光致发光性质,对ZnO:Ce薄膜的关注却很少。 本文通过直流磁控溅射法制备了ZnO和ZnO:Ce薄膜,研究了制备工艺对样品结构、形貌、光学和光致发光特性的影响。具体的研究内容及结果如下: (1)制备的ZnO和ZnO:Ce薄膜均具有六角纤锌矿结构,不存在其它杂相。氧气流量比会影响薄膜的择...; ZnO is well known as a promising optoelectronic material with a wide band gap of 3.37 eV at room temperature, large exciton binding energy of 60 meV, and easy growth at low cost. Ce is a major element which has excellent luminescence properties when doped into matrix materials. ZnO:Ce nanomaterials are expected to be potential candidate materials for photoluminescence materials. However, up to now...; 学位:工学硕士; 院系专业:材料学院材料科学与工程系_材料学; 学号:20720091150044 |
语种 | zh_CN |
出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=34581 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/21901] ![]() |
专题 | 材料学院-学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗晴. ZnO:Ce薄膜的制备与性能研究, Investigation on preparation and properties of the ZnO:Ce thin films[D]. 2012, 2012. |
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