| 题名 | 铁电陶瓷畴变的原位谱学分析; In-Situ Spectroscopic Analysis of Domain Switching in Ferroelectric Ceramics |
| 作者 | 杨凤娟 |
| 答辩日期 | 2011 ; 2010 |
| 导师 | 程璇 ; 张颖 |
| 关键词 | PLZT铁电陶瓷 原位Raman观测 原位XRD观测 畴变 PLZT Ceramics In-Situ Raman In-Situ XRD Domain Switching |
| 英文摘要 | 铁电陶瓷材料的电畴在外场作用下反复翻转即畴变引起的材料结构变化，是导致铁电材料性能衰变和破坏的原因。掌握和了解外场作用下的铁电畴变行为对研究其失效机理、提高可靠性具有重要的理论指导意义。本论文试图通过研究外加电场作用下的PLZT铁电陶瓷材料原位Raman和XRD谱学变化规律，探讨建立表征铁电陶瓷材料畴变行为及其与材料宏观极化强度关系的定量分析理论和方法，为进一步理解铁电体的非线性以及电极化和电疲劳行为奠定基础。 基于晶格动力学理论，考虑与极性晶格振动有关的长程静电作用的Raman散射机制，本论文建立了铁电陶瓷材料中的特征光学模散射峰强度比与激光偏振方向和电畴取向之间的关系，定义了反映铁电陶瓷...; Domain switching under an electric field has been recognized as a fundamental origin causing deterioration and failure of the properties for ferroelectric ceramics. It is, therefore, theoretically and practically important to study the failure mechanism and to improve the reliability of materials by understanding the domain switching behaviors under different loading conditions. In this work, th...; 学位：工学博士; 院系专业：材料学院材料科学与工程系_材料物理与化学; 学号：20720070153460 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=28516 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/21853]  |
| 专题 | 材料学院－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨凤娟. 铁电陶瓷畴变的原位谱学分析, In-Situ Spectroscopic Analysis of Domain Switching in Ferroelectric Ceramics[D]. 2011, 2010. |
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