一种带高阶温度补偿的片内时钟振荡器设计

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	一种带高阶温度补偿的片内时钟振荡器设计
	李扶苏 ; 郭东辉
刊名	http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DLYX201203007&dbname=CJFQ2012
	2012-06-15
关键词	CMOS 环形振荡器无晶振高阶温度补偿
英文摘要	本文基于0.18μm CMOS工艺,设计了一款适用于片上系统SoC的无需晶振的片内12MHz时钟信号产生电路。利用高阶温度补偿方案,该时钟振荡器能在较宽的温度范围内实现振荡频率的高稳定性。此外,电路的稳压器设计使得振荡器频率在电源电压变化时也能保持相当好的稳定性。仿真结果表明,在-40℃~125℃温度范围内,此振荡器振荡频率的温度系数仅为40ppm/℃,电源电压变化±10%时,振荡频率的相对误差仅为±0.012%,完全能够满足常规数字系统的要求。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/19123]
专题	信息技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李扶苏,郭东辉. 一种带高阶温度补偿的片内时钟振荡器设计[J]. http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DLYX201203007&dbname=CJFQ2012,2012.
APA	李扶苏,&郭东辉.(2012).一种带高阶温度补偿的片内时钟振荡器设计.http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DLYX201203007&dbname=CJFQ2012.
MLA	李扶苏,et al."一种带高阶温度补偿的片内时钟振荡器设计".http://epub.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DLYX201203007&dbname=CJFQ2012 (2012).