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	GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算; Deformation Potentials of GaN and AlN, and Band offsets at GaN/AlN Heterojunction
	何国敏 ; 王仁智 ; 吴正云 ; 郑永梅 ; 蔡淑惠
	1999
英文摘要	本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了（001）界面应变对gAn、Aln应变层的能带、平均键能EM和带阶参数EMV的影响.借助于带阶参数形变势的计算，预言了不同生长厚度情况下gAn/Aln应变层异质结价带带阶和导带带阶.; Abstract The effect of strain along orientation on band structure of Zinc blende GaN and AlN, average bond energy E m, and band offset parameters E mv are investigated by the ab initio mixed basis pseudopotentials.When obtaining the deformation potential of E mv for GaN and AlN, the band offsets of strained layer heterojunction GaN/AlN under different growth thicknesses can be predicted.; 国家自然科学基金;高校博士点专项科研基金
语种	zh_CN
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/121710]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	何国敏,王仁智,吴正云,等. GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算, Deformation Potentials of GaN and AlN, and Band offsets at GaN/AlN Heterojunction[J],1999.
APA	何国敏,王仁智,吴正云,郑永梅,&蔡淑惠.(1999).GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算..
MLA	何国敏,et al."GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算".(1999).

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