GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算; Deformation Potentials of GaN and AlN, and Band offsets at GaN/AlN Heterojunction | |
何国敏 ; 王仁智 ; 吴正云 ; 郑永梅 ; 蔡淑惠 | |
1999 | |
英文摘要 | 本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了(001)界面应变对gAn、Aln应变层的能带、平均键能EM和带阶参数EMV的影响.借助于带阶参数形变势的计算,预言了不同生长厚度情况下gAn/Aln应变层异质结价带带阶和导带带阶.; Abstract The effect of strain along orientation on band structure of Zinc blende GaN and AlN, average bond energy E m, and band offset parameters E mv are investigated by the ab initio mixed basis pseudopotentials.When obtaining the deformation potential of E mv for GaN and AlN, the band offsets of strained layer heterojunction GaN/AlN under different growth thicknesses can be predicted.; 国家自然科学基金;高校博士点专项科研基金 |
语种 | zh_CN |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/121710] ![]() |
专题 | 物理技术-已发表论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 何国敏,王仁智,吴正云,等. GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算, Deformation Potentials of GaN and AlN, and Band offsets at GaN/AlN Heterojunction[J],1999. |
APA | 何国敏,王仁智,吴正云,郑永梅,&蔡淑惠.(1999).GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算.. |
MLA | 何国敏,et al."GaN、AlN的形变势和应变层GaN/AlN异质结带阶的计算".(1999). |
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