QQ客服 官方微博 反馈留言

	Ge、Si的形变势及其应变层异质结的带阶; DeFormation Potentials and Band ofFset of Ge, Si Strained layer Heterojunction
	李书平 ; 王仁智 ; 郑永梅 ; 蔡淑惠
	1998
关键词	异质结 平均键能方法 带偏移 形变势 Heterojunction Average bond energy theory Band ofFset DeFormation potential
英文摘要	采用从头赝势能带计算方法研究了（001）界面应变对gE、SI能带结构、平均键能和带阶参数的影响.计算了相应的形变势，并利用形变势的研究结果，采用平均键能方法计算了gE/SI应变层异质结在不同生长厚度H（或平行晶格常数A∥）情况下的价带带阶和导带带阶.; Based on an ab initio pseudopotentials band structure method, the eFFect of strain on Ge, Si band structure, average bond energy and parameters of band ofFset is studied. We also calculate the related deFormation potentials and obtain the valence band ofFset and conduction band ofFset of Ge/Si strained layer heterojunction at diFFerent grow thickness h (or lattice parameter a ∥), by means of the result of deFormation potencials and average bond energy method.; 国家和福建省自然科学基金;国家教委博士点基金
语种	zh_CN
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/121644]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李书平,王仁智,郑永梅,等. Ge、Si的形变势及其应变层异质结的带阶, DeFormation Potentials and Band ofFset of Ge, Si Strained layer Heterojunction[J],1998.
APA	李书平,王仁智,郑永梅,&蔡淑惠.(1998).Ge、Si的形变势及其应变层异质结的带阶..
MLA	李书平,et al."Ge、Si的形变势及其应变层异质结的带阶".(1998).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。