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	三元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带带阶ΔE_v值研究
	郑金成 ; 郑永梅 ; 王仁智
	1996
关键词	异质结 价带带阶 平均键能方法
英文摘要	<正>三元合金异质结是异质结器件的重要材料,它广泛应用于微波和光电器件中。如组分X=0.3的合金异质结可用于研制高电子迁移率晶体管(HEMTS)、绝缘栅场效应晶体管(HIgfETS)和谐振隧道二极管(rTdS);组分X=0.53的三元合金异质结广泛应用于光电子的高速光电器件中。在决定量子阱、超晶格电子态的因素中,半导体异质结界面两侧价带带阶△E_V值(即VAlEnCE-bAndOffSETS)是重要的物; 国家自然科学基金;福建省自然科学基金;厦门光电子公司工业部资助项目
语种	zh_CN
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/121518]
专题	物理技术－已发表论文
推荐引用方式 GB/T 7714	郑金成,郑永梅,王仁智. 三元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带带阶ΔE_v值研究[J],1996.
APA	郑金成,郑永梅,&王仁智.(1996).三元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带带阶ΔE_v值研究..
MLA	郑金成,et al."三元合金异质结In_xGa_(1-x)As/In_xAl_(1-x)As的价带带阶ΔE_v值研究".(1996).

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